Chip Frontier

半導體前沿2024–2026 年的新技術,在瀏覽器裡動手拆

探針卡和先進封裝之後,再往前走一步:AI 交換器的共封裝光學、把電源搬到晶圓背面、玻璃基板與方形面板、閘極全環電晶體與 High-NA EUV;再往外一圈,是做出光的 EUV 光源、GPU 旁邊的 HBM、整櫃的液冷與 800 V 供電。第二部分走進製程現場:混合鍵合、CMP、3D NAND、化合物半導體、碳化矽、Micro LED、電子束檢測,和晶圓廠本身。十六個主題,每一頁都是可以動手調的 3D 模型,數字都列出公開來源,包括最新的論文與專利。

Part 1 · What's next for AI chips

前沿:AI 晶片正在換代的技術

交換器晶片四周圍著光引擎,光纖拉到面板
Co-packaged optics · light to the chip

共封裝光學實驗室

AI 交換器為什麼要把光模組搬到晶片旁邊:每埠功耗從 30 瓦降到 9 瓦、微環調變器與加熱器、光鏈路預算,以及光引擎怎麼在晶圓上做光學測試。

  • 功耗
  • 微環調變器
  • 鏈路預算
  • 晶圓光學測試
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晶片剖面:正面的訊號導線、背面的供電導線
Backside power · power from below

背面供電實驗室

台積電 A16、Intel PowerVia 把電源線搬到晶圓背面:電壓降地圖、晶圓接合與薄化的對準難題、散熱的代價,以及雷射除錯為什麼不再管用。

  • 電壓降
  • 接合與對準
  • 散熱
  • 除錯
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玻璃核心基板上的 AI 封裝
Glass & panels · a bigger foundation

玻璃基板實驗室

AI 封裝越做越大:有機與玻璃核心的翹曲、焊點的取捨、圓形晶圓與方形面板(CoPoS)能放幾顆,以及玻璃通孔怎麼打、為什麼會裂。

  • 翹曲
  • 晶圓與面板
  • 玻璃通孔
  • 挑戰:量產
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閘極全環奈米片電晶體
Transistors & litho · 2 nm and beyond

電晶體與曝光實驗室

從 FinFET 到閘極全環奈米片、Forksheet 和 CFET,閘極怎麼把電流關緊;以及 High-NA EUV 的解析度、焦深、多重曝光和成本。

  • GAA
  • CFET
  • High-NA EUV
  • 挑戰:最划算的光罩
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EUV 光源:錫滴、收集鏡與聚向中間焦點的光
EUV light · tin, lasers and mirrors

EUV 光源實驗室

每秒五萬顆錫滴,先被打扁、再被 40 kW 的雷射打成電漿:13.5 奈米的光怎麼做出來、收集鏡怎麼保護,以及十面反射鏡後到晶圓還剩多少。

  • 錫滴與雷射
  • 預脈衝
  • 收集鏡與氫氣
  • 挑戰:1,000 W
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切開的 HBM:一層層 DRAM 與矽穿孔
HBM · memory stacked to the limit

HBM 記憶體實驗室

AI GPU 旁邊最貴的零件:HBM4 的 2048 條資料線、16 層 DRAM 怎麼塞進 775 µm、三種接合方式,以及疊高之後的散熱與良率。

  • 頻寬
  • 疊高
  • 散熱與刷新
  • 挑戰:1 TB
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液冷 AI 機櫃、分歧管與 CDU
Rack cooling · from air to microfluidics

AI 機櫃散熱實驗室

一櫃 132 kW、下一代 600 kW:風扇的極限、冷板液冷的流量與水溫、GPU 從晶片到冷卻液的熱阻,到把流道刻進矽裡的微流道。

  • 風冷 vs 液冷
  • 冷卻液
  • 微流道
  • 挑戰:不開冰水機
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GPU 主機板與四周的穩壓器
800 V power · from the grid to a GPU core

800V 供電實驗室

GPU 核心 0.75 V、一千多安培:54 V 與 800 V 直流的電流與用銅、每一級轉換的效率、碳化矽與氮化鎵,以及最後一吋的垂直供電。

  • 電壓與銅
  • 轉換效率
  • SiC 與 GaN
  • 挑戰:最後一吋
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Part 2 · On the fab floor

製程現場:已經在量產,或正要上線

從晶圓本身到整座工廠:混合鍵合、化學機械研磨、3D NAND 的深孔、化合物半導體、碳化矽長晶、Micro LED、電子束檢測,以及晶圓廠本身。每一頁都有台灣正在做這件事的公司。

兩顆晶片面對面、銅墊直接貼合
Hybrid bonding · copper to copper, no solder

混合鍵合實驗室

台積電 SoIC、AMD 3D V-Cache 的接法:接點間距與密度、銅墊凹陷與退火、微粒造成的空洞與良率,以及晶片對晶圓的對準。

  • 接點間距
  • 表面與退火
  • 微粒與良率
  • 挑戰:4.5 µm
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研磨墊、研磨頭與鑽石碟
CMP · polish every layer flat

化學機械研磨實驗室

每一層都要先磨平:Preston 定律的壓力與轉速、銅導線的碟形凹陷與侵蝕、研磨墊與鑽石碟,以及每個世代要磨幾道。

  • Preston 定律
  • 碟形與侵蝕
  • 研磨墊
  • 挑戰:混合鍵合
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切開的 3D NAND 疊層與通道孔
3D NAND · hundreds of layers, one deep hole

3D NAND 深孔實驗室

疊三百層、挖一個 100 奈米寬、10 微米深的孔:層數與位元密度、深寬比與低溫蝕刻、分節對準,以及每位元成本。

  • 層數與密度
  • 深孔蝕刻
  • 分節對準
  • 挑戰:一千層
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VCSEL 雷射的剖面與光束
Compound semiconductors · GaAs, InP, GaN

化合物半導體實驗室

手機射頻與 AI 光通訊的雷射:能隙與波長、MOCVD 磊晶的均勻度、VCSEL 的反射鏡與氧化孔徑,以及 1.6T 光模組的雷射缺口。

  • 能隙與波長
  • MOCVD 磊晶
  • VCSEL
  • 挑戰:1.6T 雷射
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碳化矽長晶爐的剖面
SiC crystal · grow, slice, count the good dies

碳化矽長晶實驗室

兩千多度的爐子裡慢慢長出 8 吋晶棒:PVT 長晶速率、線鋸與雷射切片、缺陷與良率,以及 8 吋對 6 吋的成本。

  • PVT 長晶
  • 線鋸與雷射
  • 缺陷與良率
  • 挑戰:價格戰
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印章把紅綠藍 LED 搬上背板
Micro LED · millions of tiny LEDs, moved and lit

Micro LED 巨量轉移實驗室

一台 4K 電視 2,488 萬顆 LED:子像素與間距、印章、雷射與流體巨量轉移、良率與備援修補,以及晶粒縮小後的效率損失。

  • 數量與間距
  • 巨量轉移
  • 良率與修補
  • 挑戰:AR 微顯示
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接觸孔圖案與電子束掃出的影像
E-beam inspection · hunting nanometre defects

電子束檢測實驗室

幾奈米的缺陷怎麼找:光學和電子束看得多小、多束電子束的產能、電壓對比抓斷路與短路,以及 CD-SEM 與疊對量測。

  • 解析度
  • 多束產能
  • 電壓對比
  • 挑戰:High-NA 量測
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切開的晶圓廠:無塵室、天車與地下層
Fab · cleanroom, overhead transport, water and power

晶圓廠實驗室

一顆晶片在廠裡走兩到四個月:風扇過濾機組與換氣、天花板上的天車、每片晶圓的用電與用水,以及光罩層數與週期時間。

  • 無塵室
  • 天車搬運
  • 水電
  • 挑戰:2 奈米超大廠
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